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突破能源效率瓶頸 加速應用版圖拓展


GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標竿，更提供顯著的性能表現優化及業界領先的質量因子 (figures of merit)。以GaN Systems 在 2022 年發表的 3.2kW 人工智能(AI) 服務器電源供應器來看，改采用最新第四代平臺，不僅效率超過鈦金級能效標準，功率密度更從 100W/in3 提升至 120W/in3。


GaN Systems第四代平臺將為消費電子、數據中心、光伏、工業及汽車等應用場域帶來突破性的革新。相較硅、碳化硅 (SiC)、甚至其他氮化鎵產品，該第四代平臺能進一步降低的物料清單 (Bill-of-Material) 成本，提供卓越成本效益。GaN Systems作為氮化鎵功率器件首選供貨商，致力于協助客戶創造市場差異化，鞏固競爭優勢。


「我們的主要客戶已認可第四代氮化鎵平臺的優勢。該平臺充分體現 GaN Systems 致力于突破產品性能，實現下世代能效水平的承諾，」GaN Systems 全球執行官 Jim Witham表示，「面對市場的瞬息萬變，GaN Systems 透過深化與像臺積電這樣的產業領導公司間的策略合作關系，持續投資研發，提供能滿足客戶需求的解決方案。」GaN Systems 正引領全球電源產業的轉型，在產品組合完整度、封裝技術創新、功能豐富度、及性能表現上皆擁有領先優勢。


功率電子技術的大躍進


GaN Systems 第四代氮化鎵平臺提供以下優勢：
?        輸入/輸出質量因子提升超過 20%，實現更低的損耗、效率優化及卓越成本效益。
?        提供包括 PDFN、TOLL、TOLT 及嵌入式 (Embedded) 等不同封裝選項，針對不同應用搭配最適當的 Rds 阻抗和封裝組合，實現卓越電氣和熱性能表現。
?        700V 氮化鎵E-mode晶體管提供當前業界最高的瞬態電壓額定值，達850V，大幅提升整體系統可靠性及穩健性，此額定值使半導體組件能夠承受用戶環境中的異常情況，如電壓突波，確保不間斷且可靠的性能。
?        提供適用于 20W 到 25,000W 電源系統的導通電阻。