醫(yī)療電機(jī)電調(diào)板馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片IC--GC4931替代A4931 無需更改外圍
2020/4/22 18:27:51 點(diǎn)擊：
芯片特性
● 驅(qū)動(dòng)三個(gè)半橋（6 個(gè) NMOS）
● 寬電壓 4.7~36V
● 低功耗同步整流
● 霍爾元件輸入
● 內(nèi)置低壓保護(hù)與過溫保護(hù)
● 低電流睡眠模式
● FG 轉(zhuǎn)速輸出
● 死區(qū)時(shí)間防穿通
● 堵轉(zhuǎn)鎖定保護(hù)
GC4931F/S 是一款三相無刷直流電機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片。芯片可以驅(qū)動(dòng) N 型功率 MOSFET，最高電源到 36V。 芯片狀態(tài)切換邏輯受三個(gè)相位差為 120° 的霍爾輸入確定。芯片集成固定衰減時(shí)間的脈沖調(diào)制來控制電流并且抑制勵(lì)磁涌流； 堵轉(zhuǎn)保護(hù)時(shí)間可調(diào)； 過溫保護(hù)， 過壓監(jiān)測(cè)， 同步整流等等。其中內(nèi)置的同步整流器通過在衰減周期內(nèi)，打開合適的低內(nèi)阻的開關(guān)管以取代反向續(xù)流二極管來降低功耗。 當(dāng)芯片監(jiān)測(cè)到過壓時(shí)芯片會(huì)關(guān)斷同步整流以減小變化電流引起的電源電壓波動(dòng)。
● 驅(qū)動(dòng)三個(gè)半橋（6 個(gè) NMOS）
● 寬電壓 4.7~36V
● 低功耗同步整流
● 霍爾元件輸入
● 內(nèi)置低壓保護(hù)與過溫保護(hù)
● 低電流睡眠模式
● FG 轉(zhuǎn)速輸出
● 死區(qū)時(shí)間防穿通
● 堵轉(zhuǎn)鎖定保護(hù)
● 過壓保護(hù)
GC4931F/S 是一款三相無刷直流電機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)芯片。芯片可以驅(qū)動(dòng) N 型功率 MOSFET，最高電源到 36V。 芯片狀態(tài)切換邏輯受三個(gè)相位差為 120° 的霍爾輸入確定。芯片集成固定衰減時(shí)間的脈沖調(diào)制來控制電流并且抑制勵(lì)磁涌流； 堵轉(zhuǎn)保護(hù)時(shí)間可調(diào)； 過溫保護(hù)， 過壓監(jiān)測(cè)， 同步整流等等。其中內(nèi)置的同步整流器通過在衰減周期內(nèi)，打開合適的低內(nèi)阻的開關(guān)管以取代反向續(xù)流二極管來降低功耗。 當(dāng)芯片監(jiān)測(cè)到過壓時(shí)芯片會(huì)關(guān)斷同步整流以減小變化電流引起的電源電壓波動(dòng)。
GC4931F/S 的邏輯輸入腳有使能控制（ENABLE） ， 方向控制（DIR） ， 剎車控制（BRAKE） ； 邏輯輸出腳有 FG1， FG2 與霍爾信號(hào)對(duì)應(yīng)， 可以用來監(jiān)測(cè)轉(zhuǎn)動(dòng)速度。芯片工作溫度從-20~105℃。 封裝形式采用5mmx5mm 的 QFN 28 腳， 底部有散熱片。GC4931F 工作電壓低至 4.7V， GC4931S最低工作電壓在 7V.
管腳描述
內(nèi)部框圖
圖 1 GC4931F/S 內(nèi)部框圖
極限參數(shù)(一般無其他特殊注明時(shí)， T=25℃）
我司是GC4931代理商，可以提供技術(shù)支持，歡迎來電索樣。
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