華潤上華與銳成芯微推eFlash解決方案，基于0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺
2020/5/29 10:21:16 點擊：
與非網(wǎng) 5 月 28 日訊，華潤微電子有限公司代工事業(yè)群旗下的無錫華潤上華科技有限公司與成都銳成芯微科技股份有限公司聯(lián)合推出高可靠性 eFlash 解決方案，該方案基于華潤上華 0.153μm 5V EN CMOS 工藝，并具有獨特的成本優(yōu)勢。
據(jù)了解，華潤上華的 0.153μm 5V EN CMOS 工藝平臺，是基于公司量產(chǎn)三年的 0.18μm EN CMOS 工藝平臺優(yōu)化而來。優(yōu)化后的工藝成本得到了大大的縮減，以 MCU 應(yīng)用看，相較公司的 0.18μm 工藝節(jié)省成本約 30%；以音頻功放應(yīng)用看，華潤上華的 0.153μm 5V EN CMOS 工藝的成本已優(yōu)于同行水平。該工藝具有成本低、器件種類多樣化等優(yōu)勢，適用于 MCU、LED 顯示屏、音頻功放、DC-DC 等多種應(yīng)用場景。
成都銳成芯微的 LogicFlash IP 具有顯著的市場競爭優(yōu)勢，成本優(yōu)、性能高、可靠性高，并兼容標(biāo)準(zhǔn) CMOS 平臺。基于華潤上華 0.153μm 5V EN CMOS 工藝平臺，成都銳成芯微能同時提供高可靠性和高密度兩個版本的 LogicFlash? IP，高密度版本擦寫次數(shù)可達(dá) 10K，高可靠性版本擦寫次數(shù)可達(dá) 50K；兩款 IP 讀取速度可達(dá) 25MHz，寫入速度可達(dá) 20μS/byte（超快的寫入速度可滿足終端客戶各種應(yīng)用場景下對高速讀寫的需求，并有效降低客戶測試成本）；兩款 IP 可在 150℃ 結(jié)溫下工作，滿足 125℃ 結(jié)溫下 10 年的數(shù)據(jù)保持能力的要求，同時滿足消費(fèi)類和工業(yè)類產(chǎn)品需求。
基于華潤微 0.153μm 5V EN CMOS 工藝平臺，成都銳成芯微已完成高密度版本 Logic Flash? IP 的功能、性能和 1000 小時可靠性測試，以及高可靠性版本 LogicFlash? IP 的功能測試。目前，兩個版本的 IP 均有客戶使用并成功導(dǎo)入量產(chǎn)，客戶反饋該技術(shù)方案相比其他解決方案具有高性價比、高靈活性等特點。
華潤上華設(shè)計服務(wù)工程中心總監(jiān)王浩表示：“0.153μm 5V EN CMOS 工藝平臺是公司近些年重點打造的基礎(chǔ)工藝平臺，其關(guān)鍵工藝參數(shù)（On-BV、ESD、Rdson）在業(yè)界處于領(lǐng)先地位。公司具備極具市場競爭力的數(shù)字單元庫（縮小到 60%）和 SRAM（縮小到 58%）。根據(jù)市場調(diào)研，公司發(fā)現(xiàn)其核心客戶應(yīng)用領(lǐng)域從功能單一的 ASIC 芯片向智能化可編程化的 MCU 類芯片發(fā)展，eNVM 是 MCU 類芯片不可或缺的核心 IP。此次與成都銳成芯微的合作，補(bǔ)齊了公司 0.153μm 5V EN CMOS 工藝平臺缺少核心 eNVM IP 的短板，為客戶提供了更高價值的服務(wù)，能夠幫助客戶提高產(chǎn)品競爭力。”
成都銳成芯微首席執(zhí)行官向建軍表示：“銳成芯微一直致力于 eNVM IP 的開發(fā)，通過不斷加大研發(fā)投入，優(yōu)化設(shè)計，確保在保持高性能的條件下，不斷提升成本競爭力，滿足客戶對于 eNVM IP 的多樣性需求。此次和華潤上華在 0.153μm 5V EN CMOS 工藝平臺的合作，也是為了更好地滿足市場需求，為全球客戶提供極具成本優(yōu)勢的高性能 eNVM 技術(shù)。”
據(jù)了解，華潤上華的 0.153μm 5V EN CMOS 工藝平臺，是基于公司量產(chǎn)三年的 0.18μm EN CMOS 工藝平臺優(yōu)化而來。優(yōu)化后的工藝成本得到了大大的縮減，以 MCU 應(yīng)用看，相較公司的 0.18μm 工藝節(jié)省成本約 30%；以音頻功放應(yīng)用看，華潤上華的 0.153μm 5V EN CMOS 工藝的成本已優(yōu)于同行水平。該工藝具有成本低、器件種類多樣化等優(yōu)勢，適用于 MCU、LED 顯示屏、音頻功放、DC-DC 等多種應(yīng)用場景。
成都銳成芯微的 LogicFlash IP 具有顯著的市場競爭優(yōu)勢，成本優(yōu)、性能高、可靠性高，并兼容標(biāo)準(zhǔn) CMOS 平臺。基于華潤上華 0.153μm 5V EN CMOS 工藝平臺，成都銳成芯微能同時提供高可靠性和高密度兩個版本的 LogicFlash? IP，高密度版本擦寫次數(shù)可達(dá) 10K，高可靠性版本擦寫次數(shù)可達(dá) 50K；兩款 IP 讀取速度可達(dá) 25MHz，寫入速度可達(dá) 20μS/byte（超快的寫入速度可滿足終端客戶各種應(yīng)用場景下對高速讀寫的需求，并有效降低客戶測試成本）；兩款 IP 可在 150℃ 結(jié)溫下工作，滿足 125℃ 結(jié)溫下 10 年的數(shù)據(jù)保持能力的要求，同時滿足消費(fèi)類和工業(yè)類產(chǎn)品需求。
基于華潤微 0.153μm 5V EN CMOS 工藝平臺，成都銳成芯微已完成高密度版本 Logic Flash? IP 的功能、性能和 1000 小時可靠性測試，以及高可靠性版本 LogicFlash? IP 的功能測試。目前，兩個版本的 IP 均有客戶使用并成功導(dǎo)入量產(chǎn)，客戶反饋該技術(shù)方案相比其他解決方案具有高性價比、高靈活性等特點。
華潤上華設(shè)計服務(wù)工程中心總監(jiān)王浩表示：“0.153μm 5V EN CMOS 工藝平臺是公司近些年重點打造的基礎(chǔ)工藝平臺，其關(guān)鍵工藝參數(shù)（On-BV、ESD、Rdson）在業(yè)界處于領(lǐng)先地位。公司具備極具市場競爭力的數(shù)字單元庫（縮小到 60%）和 SRAM（縮小到 58%）。根據(jù)市場調(diào)研，公司發(fā)現(xiàn)其核心客戶應(yīng)用領(lǐng)域從功能單一的 ASIC 芯片向智能化可編程化的 MCU 類芯片發(fā)展，eNVM 是 MCU 類芯片不可或缺的核心 IP。此次與成都銳成芯微的合作，補(bǔ)齊了公司 0.153μm 5V EN CMOS 工藝平臺缺少核心 eNVM IP 的短板，為客戶提供了更高價值的服務(wù)，能夠幫助客戶提高產(chǎn)品競爭力。”
成都銳成芯微首席執(zhí)行官向建軍表示：“銳成芯微一直致力于 eNVM IP 的開發(fā)，通過不斷加大研發(fā)投入，優(yōu)化設(shè)計，確保在保持高性能的條件下，不斷提升成本競爭力，滿足客戶對于 eNVM IP 的多樣性需求。此次和華潤上華在 0.153μm 5V EN CMOS 工藝平臺的合作，也是為了更好地滿足市場需求，為全球客戶提供極具成本優(yōu)勢的高性能 eNVM 技術(shù)。”
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