微縮技術遠超其他晶圓代工商，臺積電3nm工藝仍會采用FinFET晶體管技術？
2020/6/6 15:09:33 點擊：
與非網 6 月 5 日訊，據悉，臺積電 3 納米將繼續采取目前的 FinFET 晶體管技術。
這意味著臺積電確認了 3 納米工藝并非 FinFET 技術的瓶頸，甚至還非常有自信能夠在相同的 FinFET 技術下，在 3 納米制程里取得水準以上的良率。這也代表著臺積電的微縮技術遠超過其他的芯片制造商。
當制程下探，電路無可避免的會遭遇到控制的困難，產生如漏電、電壓不穩定等的短通道效應（Short-channel Effects）。而為了有效抑制短通道效應，盡可能的增加電路的面積，提高電子流動的穩定性，就是半導體制造業者重要的考量，而鰭式晶體管（FinFET）架構就因此而生。
FinFET 運用立體的結構，增加了電路閘極的接觸面積，進而讓電路更加穩定，同時也達成了半導體制程持續微縮的目標。但這個立體結構的微縮也非無極限，一但走到了更低的制程之后，必定要轉采其他的技術，否則摩爾定律就會就此打住。
也因此，三星電子（Samsung）在 2019 年就宣布，將在 3 納米制程世代，改采閘極全環（Gate-All-Around，GAA）的技術，作為他們 FinFET 之后的接班制程；無獨有偶，目前的半導體龍頭英特爾（Intel），也在不久前宣布，將投入 GAA 技術的開發，并預計在 2023 年推出采用 GAA 制程技術的 5 納米芯片。
由于世界前兩大的半導體廠都相繼宣布投入 GAA 的懷抱，因此更讓人篤定，也許 3 納米將會是 GAA 的時代了，因為至 3 納米制程，FinFET 晶體管就可能面臨瓶頸，必須被迫進入下個世代。
唯獨臺積電，仍將在 3 納米世代延續 FinFET 晶體管的技術。進入 3 納米世代，也因此他們不用變動太多的生產工具，也能有較具優勢的成本結構。而對客戶來說，也將不用有太多的設計變更，也有助于客戶降低生產的成本。若最終的產品性能還能與競爭對手平起平坐，那臺積電可能又將在 3 納米產品世代再勝一籌。
尤其是對客戶來說，在先進制程的開發里變更設計，無論是改變設計工具或者是驗證和測試的流程，都會是龐大的成本，時間和金錢都是。因此若能維持當前的設計體系，對臺積電和客戶來說，都會是個雙贏局面。
這意味著臺積電確認了 3 納米工藝并非 FinFET 技術的瓶頸，甚至還非常有自信能夠在相同的 FinFET 技術下，在 3 納米制程里取得水準以上的良率。這也代表著臺積電的微縮技術遠超過其他的芯片制造商。
當制程下探，電路無可避免的會遭遇到控制的困難，產生如漏電、電壓不穩定等的短通道效應（Short-channel Effects）。而為了有效抑制短通道效應，盡可能的增加電路的面積，提高電子流動的穩定性，就是半導體制造業者重要的考量，而鰭式晶體管（FinFET）架構就因此而生。
FinFET 運用立體的結構，增加了電路閘極的接觸面積，進而讓電路更加穩定，同時也達成了半導體制程持續微縮的目標。但這個立體結構的微縮也非無極限，一但走到了更低的制程之后，必定要轉采其他的技術，否則摩爾定律就會就此打住。
也因此，三星電子（Samsung）在 2019 年就宣布，將在 3 納米制程世代，改采閘極全環（Gate-All-Around，GAA）的技術，作為他們 FinFET 之后的接班制程；無獨有偶，目前的半導體龍頭英特爾（Intel），也在不久前宣布，將投入 GAA 技術的開發，并預計在 2023 年推出采用 GAA 制程技術的 5 納米芯片。
由于世界前兩大的半導體廠都相繼宣布投入 GAA 的懷抱，因此更讓人篤定，也許 3 納米將會是 GAA 的時代了，因為至 3 納米制程，FinFET 晶體管就可能面臨瓶頸，必須被迫進入下個世代。
唯獨臺積電，仍將在 3 納米世代延續 FinFET 晶體管的技術。進入 3 納米世代，也因此他們不用變動太多的生產工具，也能有較具優勢的成本結構。而對客戶來說，也將不用有太多的設計變更，也有助于客戶降低生產的成本。若最終的產品性能還能與競爭對手平起平坐，那臺積電可能又將在 3 納米產品世代再勝一籌。
尤其是對客戶來說，在先進制程的開發里變更設計，無論是改變設計工具或者是驗證和測試的流程，都會是龐大的成本，時間和金錢都是。因此若能維持當前的設計體系，對臺積電和客戶來說，都會是個雙贏局面。
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