意法半導(dǎo)體新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和價(jià)值
2023-12-17 16:30:46??????點(diǎn)擊：
2023年12月15日，中國(guó)-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)最新的生態(tài)設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023年12月15日，中國(guó)-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)最新的生態(tài)設(shè)計(jì)目標(biāo)。
意法半導(dǎo)體的MasterGaN產(chǎn)品家族集成兩顆650V高電子遷移率GaN晶體管(HEMT)與優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器、系統(tǒng)保護(hù)功能，以及在啟動(dòng)時(shí)為器件供電的集成式自舉二極管。集成這些功能省去了設(shè)計(jì)者處理GaN晶體管柵極驅(qū)動(dòng)開發(fā)難題。這兩款產(chǎn)品采用緊湊的電源封裝，提高了可靠性，減少了物料成本，簡(jiǎn)化了電路布局。
這兩款新器件內(nèi)置兩個(gè)連接成半橋的GaN HEMT晶體管，這種配置適合開發(fā)采用有源箝位反激式轉(zhuǎn)換器、有源箝位正激式轉(zhuǎn)換器或諧振式轉(zhuǎn)換器拓?fù)涞拈_關(guān)式電源、適配器和充電器。MasterGaN1L和MasterGaN4L分別與MasterGaN1和MasterGaN3引腳兼容。與早期的產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品重新優(yōu)化了導(dǎo)通時(shí)間，支持更高的開關(guān)頻率，在低負(fù)載的情況取得更高的能效，能效提高在諧振拓?fù)渲杏葹槊黠@。
輸入引腳接受3.3V至15V的信號(hào)電壓，輸入滯后和下拉電阻有助于輸入直連控制器，例如，微控制器、DSP信號(hào)處理器或霍爾效應(yīng)傳感器。專用關(guān)斷引腳有助于設(shè)計(jì)者節(jié)省系統(tǒng)功率，兩個(gè)GaN HEMT晶體管的時(shí)序匹配精準(zhǔn)，集成一個(gè)互鎖保護(hù)電路，防止橋臂上的開關(guān)管交叉導(dǎo)通。
MasterGaN1L HEMT的導(dǎo)通電阻RDS(on)為150m?，額定電流為10A，適合最高功率500W的應(yīng)用。空載功耗只有20mW，支持高轉(zhuǎn)換效率，使設(shè)計(jì)者能夠滿足行業(yè)嚴(yán)格的待機(jī)功耗和平均能效目標(biāo)。MasterGaN4L HEMT定位最高功率200W的應(yīng)用，導(dǎo)通電阻RDS(on)為225m?，額定電流為6.5A。
EVLMG1LPBRDR1和EVLMG4LPWRBR1演示板現(xiàn)已上市，有助于開發(fā)者評(píng)估每款產(chǎn)品的功能。這兩塊板子集成一個(gè)針對(duì)LLC應(yīng)用優(yōu)化的GaN半橋功率模組，方便開發(fā)者利用MasterGaN1L和MasterGaN4L器件快速創(chuàng)建新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，而無(wú)需使用完整的PCB設(shè)計(jì)。
這兩款器件均已量產(chǎn)，采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封裝。
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