砸下30億美元，Intel能靠美國制造重奪王座嗎？
2022-6-21 11:57:37??????點擊：
英特爾(Intel)不久前砸下30億美元，擴充位于美國奧勒岡州(Oregon)科技重鎮Hillsboro的DIX Mod3先進技術晶圓廠，目標是重新取得在半導體工藝技術上的領導地位。
在該廠的開幕儀式上，英特爾執行長Pat Gelsinger重申該公司對美國在半導體研發領導地位的承諾。英特爾將這座占地近500英畝(EETT編按：約2.023平方千米)，位于Ronler Acres工業區的園區重新命名為“Gordon Moore Park”(參考文章上方大圖)，提醒世人摩爾定律(Moore’s Law)仍然有效──近年來，業界一直憂心摩爾定律已經失去動力。
“自成立以來，英特爾一直致力于持續推進摩爾定律；”Gelsinger在一份新聞聲明中表示：“這個全新廠房空間將強化我們提供加速工藝技術藍圖的能力，以支持我們大膽的IDM 2.0 策略。奧勒岡州長期以來是我們全球半導體研發的核心重地。”
該據點是英特爾全球技術開發部門的總部，負責通過打造全新晶體管架構、晶圓工藝和封裝技術來推進摩爾定律，鞏固該公司的產品技術藍圖。奧勒岡州廠房預期能為從PC、云端基礎建設到5G網絡等應用提供基礎技術；該團隊約有1萬名員工，主要駐在Hillsboro當地。
這個團隊面臨的一個關鍵挑戰，是將芯片上的功能微縮到原子大小。奧勒岡州晶圓廠以高介電質金屬柵極(high-k metal gate)技術、三柵極(tri-gate) 3D晶體管和應變硅(strained silicon)等創新技術而備受肯定，而所有這些都是跟上摩爾定律的基礎。
“那些開創性的工藝創新都起源于奧勒岡州據點，隨著我們D1X廠房的最新擴展，該據點已經做好提供下一代領先技術的準備；”英特爾技術開發部門總經理Ann Kelleher表示：“半導體是美國技術領先地位、經濟和供應鏈彈性的基礎，而英特爾是世界上唯一在美國擁有大部分工藝和封裝研發、以及大量尖端半導體組件生產的公司。”
英特爾在2021年宣布了雄心勃勃的工藝技術藍圖，目標是超越其競爭對手臺積電(TSMC)和三星(Samsung)，重新取得領導地位。英特爾期望加速創新的步伐以及每年一次的進步節奏，在2025年之后能將創新技術運用于新產品。
英特爾的RibbonFET技術。 (來源：英特爾)
那些創新技術包括英特爾的環繞式柵極RibbonFET，即一種全新的3D晶體管架構；此外還有一種晶背電力傳輸技術PowerVia，以及高數值孔徑(NA)的極紫外光(EUV)微影。
通過這筆規模達30億美元擴充D1X據點的投資，英特爾工程師將擁有額外的27萬平方英尺(EETT編按：約25077.685㎡)無塵室空間，用于開發下一代硅工藝技術。英特爾也會將技術成果從Hillboro轉移至該公司位于全球的制造據點。
英特爾在美國奧勒岡州的廠房規模與人才是該公司全球據點中最大的，其位于Hillboro的4個園區員工總數近2萬2,000 名；此次擴充將使該公司在奧勒岡州的總投資超過520億美元。
而該公司的目標也包括取得一部份美國政府提供、總額達520億美元振興本土半導體制造預算。美國曾經是世界上最大的芯片制造國，但目前僅占據全球半導體制造量約12%。美國半導體行業的衰落，通常被認為是國家安全的弱點。
英特爾表示，憑借其員工、由當地承包商和供應商組成的龐大網絡、資本投資和其他下游影響，該公司每年的貢獻總計超過10.5萬個工作崗位，超過100億美元的勞動收入，以及190億美元的國內生產總值(GPD)。
在該廠的開幕儀式上，英特爾執行長Pat Gelsinger重申該公司對美國在半導體研發領導地位的承諾。英特爾將這座占地近500英畝(EETT編按：約2.023平方千米)，位于Ronler Acres工業區的園區重新命名為“Gordon Moore Park”(參考文章上方大圖)，提醒世人摩爾定律(Moore’s Law)仍然有效──近年來，業界一直憂心摩爾定律已經失去動力。
“自成立以來，英特爾一直致力于持續推進摩爾定律；”Gelsinger在一份新聞聲明中表示：“這個全新廠房空間將強化我們提供加速工藝技術藍圖的能力，以支持我們大膽的IDM 2.0 策略。奧勒岡州長期以來是我們全球半導體研發的核心重地。”
該據點是英特爾全球技術開發部門的總部，負責通過打造全新晶體管架構、晶圓工藝和封裝技術來推進摩爾定律，鞏固該公司的產品技術藍圖。奧勒岡州廠房預期能為從PC、云端基礎建設到5G網絡等應用提供基礎技術；該團隊約有1萬名員工，主要駐在Hillsboro當地。
這個團隊面臨的一個關鍵挑戰，是將芯片上的功能微縮到原子大小。奧勒岡州晶圓廠以高介電質金屬柵極(high-k metal gate)技術、三柵極(tri-gate) 3D晶體管和應變硅(strained silicon)等創新技術而備受肯定，而所有這些都是跟上摩爾定律的基礎。
“那些開創性的工藝創新都起源于奧勒岡州據點，隨著我們D1X廠房的最新擴展，該據點已經做好提供下一代領先技術的準備；”英特爾技術開發部門總經理Ann Kelleher表示：“半導體是美國技術領先地位、經濟和供應鏈彈性的基礎，而英特爾是世界上唯一在美國擁有大部分工藝和封裝研發、以及大量尖端半導體組件生產的公司。”
英特爾在2021年宣布了雄心勃勃的工藝技術藍圖，目標是超越其競爭對手臺積電(TSMC)和三星(Samsung)，重新取得領導地位。英特爾期望加速創新的步伐以及每年一次的進步節奏，在2025年之后能將創新技術運用于新產品。
英特爾的RibbonFET技術。 (來源：英特爾)
那些創新技術包括英特爾的環繞式柵極RibbonFET，即一種全新的3D晶體管架構；此外還有一種晶背電力傳輸技術PowerVia，以及高數值孔徑(NA)的極紫外光(EUV)微影。
通過這筆規模達30億美元擴充D1X據點的投資，英特爾工程師將擁有額外的27萬平方英尺(EETT編按：約25077.685㎡)無塵室空間，用于開發下一代硅工藝技術。英特爾也會將技術成果從Hillboro轉移至該公司位于全球的制造據點。
英特爾在美國奧勒岡州的廠房規模與人才是該公司全球據點中最大的，其位于Hillboro的4個園區員工總數近2萬2,000 名；此次擴充將使該公司在奧勒岡州的總投資超過520億美元。
而該公司的目標也包括取得一部份美國政府提供、總額達520億美元振興本土半導體制造預算。美國曾經是世界上最大的芯片制造國，但目前僅占據全球半導體制造量約12%。美國半導體行業的衰落，通常被認為是國家安全的弱點。
英特爾表示，憑借其員工、由當地承包商和供應商組成的龐大網絡、資本投資和其他下游影響，該公司每年的貢獻總計超過10.5萬個工作崗位，超過100億美元的勞動收入，以及190億美元的國內生產總值(GPD)。
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