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近年來，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導體材料成為全球半導體市場熱點之一。


然而，第三代半導體的應用還面臨著諸多挑戰。如何破局？




以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體材料正在改變著我們的生活。一個氮化鎵快充充電器的體積僅是傳統充電器的一半左右。


新能源汽車更是通過使用碳化硅技術，使其續航里程在短期內顯著提升。


此外，隨著光伏發電和儲能設施等應用的蓬勃發展，全球第三代半導體功率器件市場持續高度增長。


碳化硅，氮化鎵產品相對于傳統的硅基功率器件具有更高的開關速度、支持高電流密度、耐受更高的溫度等優勢。


但是，這類器件的制造過程面臨著雜散電感、寄生電阻和器件散熱等一系列挑戰。


長電科技面向第三代半導體功率器件，開發了高密度成品制造解決方案，通過融合多種先進封裝技術，減少雜散電感的干擾：


通過改善鍵合工藝，降低封裝寄生電阻，提高器件通流能力和轉換效率；


通過優化散熱結構等技術改善熱傳導路徑，提高穩定性和可靠性。


隨著5G基站、人工智能、工業互聯網等領域的加速建設，對半導體器件的性能提出更高要求，其市場需求也大幅增長。


從全球市場增速來看，根據市場分析機構Yole預測，2021~2027年全球碳化硅功率器件市場保持超過30%的年復合增長。在不久的將來，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體有望迎來“最好的時代”。


長電科技厚積薄發，定位創新前沿，多年來面向第三代半導體功率器件開發完成的高密度成品制造解決方案，已進入產能擴充階段，預計相關產品營收規模有望大幅增長，同時將促進第三代半導體器件在全球應用市場的快速上量。