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一、MOS管常見的2大失效原因

1、MOS管體二極管的緩慢反向恢復

諸如特斯拉線圈之類的高 Q 諧振電路能夠在其電感和自電容中存儲大量能量。

在某些調諧條件下，當一個MOS管關閉而另一個器件打開時，這會導致電流“續流”通過 MOS管的內部體二極管。

這個原本不是什么問題，但當對面的MOS管試圖開啟時，內部體二極管的緩慢關斷（或反向恢復）就會出現問題。

與MOS管 自身的性能相比，MOS管 體二極管通常具有較長的反向恢復時間。 如果一個 MOS管的體二極管在對立器件開啟時導通，則類似于上述擊穿情況發生“短路”。

這個問題通常可以通過在每個MOS管周圍添加兩個二極管來緩解。

首先，肖特基二極管與MOS管源極串聯，肖特基二極管可防止MOS管體二極管被續流電流正向偏置。 其次，高速（快速恢復）二極管并聯到MOS管/肖特基對，以便續流電流完全繞過MOS管和肖特基二極管。

這確保了MOS管體二極管永遠不會被驅動導通，續流電流由快恢復二極管處理，快恢復二極管較少出現“擊穿”問題。

2、過度的柵極驅動

如果用太高的電壓驅動MOS管柵極，則柵極氧化物絕緣層可能會被擊穿，從而導致MOS管無法使用。

超過 +/- 15 V的柵極-源極電壓可能會損壞柵極絕緣并導致故障，應注意確保柵極驅動信號沒有任何可能超過最大允許柵極電壓的窄電壓尖峰。

二、選擇MOS管的3大法則
法則之一：用N溝道orP溝道

選擇好MOS管器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應用中，當一個MOS管接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOS管就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝道MOS管，這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOS管連接到總線及負載接地時，就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOS管，這也是出于對電壓驅動的考慮。

法則之二：確定MOS管的額定電流

該額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，確保所選的MOS管能承受這個額定電流，即使在系統產生尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續模式和脈沖尖峰。在連續導通模式下，MOS管處于穩態，此時電流連續通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌（或尖峰電流）流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。

法則之三：選擇MOS管的下一步是系統的散熱要求

須考慮兩種不同的情況，即最壞情況和真實情況。建議采用針對最壞情況的計算結果，因為這個結果提供更大的安全余量，能確保系統不會失效。