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2021年9月9日-11日，PCIM Asia 2021在深圳國際會展中心舉辦。作為德國頂尖專業(yè)電力電子展會PCIM Europe的姐妹展，自2002年在中國首辦以來，PCIM Asia一直受到亞洲電力電子及相關(guān)應(yīng)用從業(yè)者的關(guān)注。
在近日的PCIM Aisa 2021展上，《國際電子商情》記者專訪了東芝電子元件（上海）有限公司分立器件應(yīng)用技術(shù)部門高級經(jīng)理屈興國，一起交流了東芝的IEGT大功率器件、IEGT壓接模組子單元、碳化硅混合模塊、碳化硅MOS模塊、智能功率器件以及其它分立器件產(chǎn)品，此外還討論了東芝純碳化硅的開發(fā)路線，據(jù)了解，東芝最快將于今年9月量產(chǎn)純碳化硅產(chǎn)品。
20世紀(jì)90年代末，東芝基于注入增強(qiáng)的技術(shù)注冊了專用名稱IEGT（柵極注入增強(qiáng)型晶體管），可以把它理解為東芝特制的IGBT。東芝的IEGT有兩種的封裝方式，一種是PPI壓接式封裝，另一種是PMI模塊封裝。
其中，PPI壓接式通過上下銅板和鉬片，直接把芯片壓接在內(nèi)部，芯片內(nèi)部無引線鍵合。這種方式可做到雙面散熱，比單面散熱的傳統(tǒng)封裝方式可靠性更高。以采用壓接式封裝的東芝3300V和4500V電壓的IEGT為例，目前已經(jīng)有多代量產(chǎn)產(chǎn)品，如：產(chǎn)品型號后綴為24、24A、28的是老一代產(chǎn)品，Tj（結(jié)溫）為125℃；產(chǎn)品型號后綴為31A、32的是新一代產(chǎn)品，Tj為150℃。
PPI壓接式封裝的IEGT可以說是東芝首創(chuàng)，第一代壓接式產(chǎn)品內(nèi)部采用晶閘管晶圓。在2000年以后，東芝停止了晶閘管的產(chǎn)品，改用IEGT芯片來生產(chǎn)PPI壓接式IEGT，目前東芝主要有臺面直徑為85mm和125mm的壓接式IEGT產(chǎn)品。
大功率IEGT器件的最終應(yīng)用，是需要將器件壓接組裝成模組，才能被客戶使用。為了能讓客戶更便捷地了解和使用器件，東芝和第三方公司合作。這次展出的IEGT壓接模組子單元，是東芝與雅創(chuàng)、青銅劍三方合作的產(chǎn)品
屈興國強(qiáng)調(diào)，與青銅劍的合作能助力新客戶快速測試東芝的IEGT產(chǎn)品。一般情況下，廠家要了解一個(gè)器件，會先測試單顆器件的性能，若性能達(dá)標(biāo)則再設(shè)計(jì)相應(yīng)的產(chǎn)品。而與青銅劍的合作可為客戶省去測試和組裝的時(shí)間。
在他看來，東芝與生態(tài)伙伴的合作相當(dāng)于資源共享。“當(dāng)客戶需求時(shí)，東芝找生態(tài)伙伴來做推廣，共同推出符合客戶需求的產(chǎn)品。這類合作是定制化的，因每一家客戶的要求不一樣，相應(yīng)的產(chǎn)品設(shè)計(jì)會有差異化，最終出來的裝置也不一樣，不過東芝提供的器件是一樣的。”
實(shí)際上，除了雅創(chuàng)和青銅劍之外，東芝近年來一直在嘗試功率器件本土化。屈興國透露，早在2018年，東芝就已經(jīng)在國內(nèi)尋找意向客戶，現(xiàn)在正與國內(nèi)一家大公司在談IEGT產(chǎn)品上的合作。“國產(chǎn)化是大趨勢，前幾年開始，東芝就在推廣芯片的業(yè)務(wù)，也重視中國國產(chǎn)化的趨勢。”
據(jù)悉，目前東芝所有的芯片都在日本國內(nèi)生產(chǎn)，后道的封裝主要分散在日本、馬來西亞、泰國、中國。
近期馬來西亞疫情反撲，對許多半導(dǎo)體廠商的產(chǎn)能造成了影響，東芝在馬來西亞也有封裝廠，其產(chǎn)能是否也有受到影響？對此問題，屈興國表態(tài)稱，其實(shí)不止東芝一家，相信其他在馬來西亞設(shè)廠的半導(dǎo)體廠商的產(chǎn)能均有受影響。
值得注意的是，東芝也展出了其SiC混合模塊，該混合模塊是介于硅和碳化硅之間的產(chǎn)品，可稱之為混合型的IGBT。該器件采用PMI封裝方式，內(nèi)部的IGBT（IEGT芯片）采用硅材料，但是二極管部分采用碳化硅材料（SiC-SBD芯片）。
屈興國解釋說，有一些應(yīng)用場景對二極管要求比較高，由于碳化硅二極管的反向恢復(fù)時(shí)間比較短，其損耗可減少97%，所以采用碳化硅二極管，會讓器件散熱損耗更低。所以東芝就制作了這種混合型的器件，可幫助機(jī)車變流器縮小40%以上的體積。東芝當(dāng)前SiC SBD混合模塊的產(chǎn)品陣容有1700V／1200A（封裝尺寸130mm140mm）以及3300V／1500A（140mm190mm）兩種。
“SiC混合模塊在日本的機(jī)車變流器上應(yīng)用得比較多，在國內(nèi)機(jī)車變流器上還有較大的成長空間。目前，國內(nèi)機(jī)車變流器主要采用硅IGBT器件，或者預(yù)研項(xiàng)目嘗試純碳化硅器件。目前碳化硅良品率還很低，相比之下SiC混合模塊的性價(jià)比更高。”
舉一個(gè)通俗的例子：如果硅材料IGBT的價(jià)格為1，同樣電流、電壓等級的碳化硅器件報(bào)價(jià)可能是7或8。有很多廠商表態(tài)，當(dāng)碳化硅的價(jià)格在3-5時(shí)，他們就可以嘗試接受。SiC混合模塊作為中間產(chǎn)品，它現(xiàn)在的價(jià)格大約為2-3。相對而言，SiC混合模塊具備一定的性價(jià)比優(yōu)勢。
據(jù)屈興國介紹，東芝SiC混合模塊當(dāng)前面臨的挑戰(zhàn)是——除了成本，國內(nèi)機(jī)車客戶的消費(fèi)習(xí)慣問題，現(xiàn)在大家的目光更聚焦在純碳化硅上。
東芝純碳化硅器件正逐步量產(chǎn)
在新能源汽車上的碳化硅應(yīng)用，東芝也有自己的觀點(diǎn)。屈興國表示，根據(jù)電池電壓的不同，主要可分為300V-400V以及800V這兩大類。其中，普通的乘用車采用300V-400V的電池，主要使用650V或750V的IGBT，這會是硅的主流市場；而大巴車或要求更高的車采用800V的電池，則需要用到1200V的功率器件，這將會是碳化硅的主流市場。
東芝的純碳化硅產(chǎn)品還屬于工控產(chǎn)品，目前暫無車載碳化硅產(chǎn)品，不過已經(jīng)計(jì)劃車規(guī)級純碳化硅器件。
東芝此次也帶來了純碳化硅MOS管的最新研發(fā)消息，據(jù)了解碳化硅MOSFET模塊1200V／600A雙管、1700V／400A雙管、3300V／800A雙管產(chǎn)品均在開發(fā)中，根據(jù)規(guī)劃3300V／800A雙管系列產(chǎn)品在今年5月已經(jīng)有商業(yè)樣品，并將于今年9月-10月進(jìn)入量產(chǎn)階段，首批客戶是日本國內(nèi)的電力機(jī)車客戶；1700V／400A雙管產(chǎn)品將會第二個(gè)發(fā)布，主要應(yīng)用于風(fēng)電、太陽能等新能源領(lǐng)域；另外，1200V／600A雙管產(chǎn)品也大致與1700V／400A雙管同期發(fā)布，將主要應(yīng)用于新能源汽車的充電樁。
屈興國還介紹了應(yīng)用在汽車領(lǐng)域的分立器件，包括光耦、車用IGBT等產(chǎn)品。東芝在光耦市場已經(jīng)耕耘了多年，是當(dāng)前為數(shù)不多的具有車規(guī)光耦的廠家。
此外，東芝還帶來了應(yīng)用在小電流場景中的IPD產(chǎn)品。這些產(chǎn)品的電流最大為5A，最小為0.7A，主要應(yīng)用于200W以下直流無刷馬達(dá)的家電產(chǎn)品，比如空調(diào)的室內(nèi)風(fēng)機(jī)和室外風(fēng)機(jī)。