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專利指出，目前在半導體器件的制造工藝中，經常會在具有疊層結構的半導體器件表面上形成凸凹不平的結構，通常使用化學機械研磨(CMP)工藝平整凸凹不平的表面。化學機械研磨亦稱為化學機械拋光，是目前機械加工中唯一可以實現表面全局平坦化的技術。化學機械研磨工藝中，一般是把芯片放在旋轉的研磨墊(pad)上，再加一定的壓力，使用含有拋光顆粒(例如SiO2顆粒)的研磨液(slurry)，在化學腐蝕與磨削移除的交互作用下進行平坦化。在化學機械研磨工藝之后，研磨液中的顆粒成為缺陷微粒存在于晶圓表面，因此必須從晶圓表面完全除去才能保持半導體器件的可靠性和生產線的清潔度。鑒于此，實有必要提出一種晶圓的清洗方法，以提升清洗效果，從而提高產品的良率。
專利摘要顯示，一種晶圓的清洗方法，包括以下步驟：提供晶圓；清洗所述晶圓表面，清洗后的所述晶圓表面呈正電性，晶圓表面殘留物具有負電性；調節所述晶圓表面電性或所述殘留物的電性，使所述晶圓表面和所述殘留物的呈相同電性；對所述晶圓表面進行干燥，去除所述殘留物。根據同性相斥的原理，經過調節后所述殘留物與所述晶圓表面電性相同，因此所述殘留物不會粘附在所述晶圓的表面，而是懸浮在晶圓表面的液膜內。在后續的干燥過程中，懸浮在液膜內的殘留物會隨著液膜一起被去除，提高了產品良率。