SK海力士擬引入EUV光刻機(jī)，生產(chǎn)更新進(jìn)工藝內(nèi)存芯片
在推動(dòng)先進(jìn)半導(dǎo)體制程工藝上，CUP芯片等高性能計(jì)算芯片和內(nèi)存芯片是兩大主力驅(qū)動(dòng)力。從28nm-14nm-7nm-5nm,讓代工廠或IDM不斷投資興建更高工藝晶圓廠的動(dòng)力也來自這些產(chǎn)品的主要客戶。而這其中，進(jìn)入到7nm節(jié)點(diǎn)后，光刻機(jī)也不得不升級到EUV（極紫外）光刻機(jī)類型。
據(jù)韓國媒體報(bào)道，全球第二大DRAM內(nèi)存供應(yīng)商SK海力士已經(jīng)在研發(fā)1a nm工藝的內(nèi)存，內(nèi)部代號“南極星”，具體節(jié)點(diǎn)大概在15nm，預(yù)計(jì)會(huì)引入EUV光刻機(jī)生產(chǎn)。
對內(nèi)存來說，它跟CPU邏輯工藝一樣面臨著需要微縮的問題，EUV光刻機(jī)可以減少多重曝光工藝，提供工藝精度，從而可以減少生產(chǎn)時(shí)間、降低成本，并提高性能。
不過內(nèi)存使用EUV工藝問題也不少，首要問題就是EUV光刻機(jī)售價(jià)太高，10億一臺(tái)，還要考慮到維護(hù)費(fèi)用，所以初期要承擔(dān)不小的成本壓力。
目前SK海力士最先進(jìn)的內(nèi)存工藝主要是1y、1z nm，今年下半年這兩種工藝將占到40%的產(chǎn)能比重。
3月初，三星表示，將從第四代10nm級(D1a)DRAM或高端級14nm級DRAM開始全面導(dǎo)入EUV，明年基于D1a大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內(nèi)存芯片，預(yù)計(jì)會(huì)使12英寸晶圓的生產(chǎn)率翻番。
- 上一篇：直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)選型表 2020/6/2
- 下一篇：中芯國際14nm去年量產(chǎn) 華為之外 又迎來新客戶 2020/6/2
