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日本內閣經濟安全大臣岸田在上任首日記者招待會上強調，"我們將努力確保關鍵技術和物資的安全，防止技術外流"。

全球最大的半導體代工廠臺積電14日宣布在日本建新工廠，這樣的時機恰到好處。日本索尼集團和電裝將參與其中。日本政府將資助4000億至5000億日元，約占總投資總額的一半。然而，這是否真的與日本半導體的復興有關呢？
經濟產業省從19年起吸引臺積電
臺積電進軍日本是由臺積電CEO魏哲家在14日公布第三季度財報時宣布的。在當晚的新聞發布會上，岸田首相介紹“臺積電將進行總額達1萬億日元的大規模私人投資”，并表示“日本半導體產業的必要性和自主性將提高，這將極大地促進經濟安全。” 他表示將把對臺積電的支持納入2021年追加預算，并在眾議院選舉后組織。
而且，隨著眾議院的解散，"臺灣半導體巨頭在日本的新工廠"的消息被大量報道，永田町一進入選舉模式，岸田政府就獲得了支持。
眾所周知，經濟產業省正在敦促臺積電進入日本。兩年前，我們開始嘗試這種方法。最初，它的目標是吸引5納米的尖端半導體生產線，用于智能手機和PC，但去年5月，它決定在美國亞利桑那州鳳凰城建造。雖然臺積電在日本的擴張計劃一度回到白紙上，但經濟產業省并沒有放棄，而是吸引了28-22納米線。
臺積電的新工廠建在位于熊本縣索尼半導體廠的相鄰地點，主要用于PC、控制器和汽車部件等的邏輯半導體。新工廠明年將建成，計劃于2024年開始運營。
重回半導體領導地位樂觀嗎？
然而，經濟產業省內部有人表示"這將是恢復半導體領導權的第一步"的聲音可能過于樂觀。雖然28-22納米不是"尖端"，但在目前日本是一個前所未有的先進技術領域。日本領先的瑞薩電子也委托臺積電生產28納米以下的產品。新工廠生產的20納米邏輯半導體，除了索尼的CMOS圖像傳感器外，還為電裝公司開發汽車半導體。
然而，新工廠的生產能力似乎規模太大，不能滿足這些需求。
計劃開始三年后，如果國內找不到新的大用戶，索尼和電裝將轉向出口。就這樣，人們開始質疑4000億至5000億日元的巨額援助意味著什么。除了通過建造新工廠創造就業機會外，預計還需要投入制造半導體所需的機床和化學品，但問題是，外國公司的出口產品是否需要政府支持。
美光科技有限公司20日宣布，未來10年將投資超過1500億美元（約合17萬億日元），以擴大全球半導體生產。有報道稱，計劃投資 8000 億日元，在廣島工廠（廣島縣東廣島市）的場地內新建 DRAM 工廠，臨時存儲數據。如果一個據說能創造2000到3000個工作崗位的新工廠建成，日本政府是否也準備為這個項目提供大量支持？
難忘過去成功經驗
企業沒有按照政府的期望行事。由于其前身通產省20多年來半導體政策的失敗，經濟產業省應該理解這句話。
縱觀歷史，日本半導體政策的一個成功例子是1976-1980年成立的“VLSI技術研究協會”。公共和私營部門共同投資700億日元，行業公司派遣工程師進行聯合研究。最后，我們成功在早期建立了在 80 年代后半期投入實際使用的 1 兆位 DRAM 的基礎技術。
然而，隨后的半導體政策接連失敗。進入90年代，雖然半導體用戶的產品縮小了規模，個人電腦成為主角，但國內制造商對過去的成功經驗感到迷醉，卻被一波又一波的轉型拖得體無完膚。
此外，隨著數字消費類電子產品的興起，系統LSI成為其核心戰場，世界半導體行業將轉向設計和制造分離。臺積電作為SoC最先進的工廠，在轉型的間隙發展迅速。
與此同時，日立、三菱電機和NEC等日本半導體制造商正在分離其業務，以進行重組。從 1999 年推出整合日立和 NEC DRAM 業務的爾必達內存開始，日立和三菱電機于 2003 年成立了瑞薩科技，整合了系統 LSI 業務。2010年，從NEC分拆出來的NEC電子加入公司，成為現在的瑞薩電子。東芝一直堅持這一舉措，但自15年結算問題爆出以來，財務狀況迅速惡化，東芝于19年被迫將專門從事NAND閃存的凱俠控股公司分拆。
一系列的整合和分拆旨在將利潤惡化的半導體業務與主體分離，因此沒有技術戰略。合并后成立的公司是緊密聯系的，組織內部溝通不融洽，業績持續低迷。爾必達于12年申請申請使用《公司改造法》，但失敗了。13年，以美國美光公司為贊助商的重組計劃獲得批準，公司名稱改為"美光日本"，總部遷至廣島工廠。
下一代半導體概念還沒落地
日本在全球半導體出貨量中所占的份額從1988年的52%下降到10年后 98年的26%，最近一直徘徊于10%左右。經濟產業省在此期間也沒有看到日本制造商的下沉。與業界合作，日本再次實現了超級LSI技術研究聯盟的夢想，并自2000年代初開始實施一系列項目，為下一代半導體開發做準備。
2001年，兩個項目啟動：朝日，從事電路線寬90-65納米一代LSI設計和制造技術；MIRAI，負責65-45納米一代的工藝技術。此外，HALKA 項目繼續實施，旨在建立新的制造系統，以應對多品種小批量生產。此外，11家日本領先的LSI制造商于2002年共同出資成立了"先進SoC基礎技術開發（簡稱ASPLA）"，旨在打造90納米一代的原型生產線。
如果我們將ASPLA原型生產線上建立的設計和制造技術移植到日本制造商的大規模生產線上，我們本可以與臺積電正面競爭。然而，由于參與下一代項目所需的工程師人數過多，現場一片混亂。此外，雖然每個制造商的團隊都參與經濟產業省的項目，但公司在大規模生產生產線上仍然堅持自己開發的制造工藝。
最終，這兩個概念都沒有落地，后果就是日本目前的半導體份額。這個項目有數百億日元的資助，但我不知道經濟產業省做了什么。
回顧過去的半導體政策
半導體短缺現在是一個普遍的問題，美國參議院在6月通過了一項法案，為半導體的生產和開發提供520億美元（約6萬億日元）的補貼。臺積電決定在美國新建5納米以下的尖端工廠，包括GAFAM（谷歌、蘋果、Facebook、亞馬遜、微軟）以及補貼，這是因為有大量的產品消費者。
日本不僅擁有最先進的半導體設計和制造技術，而且用戶也沒有5納米以下的大需求者，即使"上一代"的20納米，用戶數量也不盡相同。
除非我們復盤過去的政策，解釋日本工業的現狀，并在此基礎上進行反思，否則很難就涉及巨額支出的新政策達成公眾共識，而不是打著"重歸"的旗號。