欲吞3nm！臺積電發(fā)債140億！
2020-4-8 21:22:20??????點擊：
做為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工企業(yè)，臺積電擁有無可匹敵的技術(shù)和工藝優(yōu)勢，在制程方面一直領(lǐng)先對手。
近日，晶圓代工龍頭臺積電董事會已核準(zhǔn)在中國臺灣市場募集無擔(dān)保普通公司債，以支應(yīng)產(chǎn)能擴充與污染防治相關(guān)支出的資金需求，資金額度不超過新臺幣 600 億(約 140 億元人民幣) 。
這是臺積電繼 2013 年發(fā)行普通公司債以來再度發(fā)行，而且最高籌資額度達 600 億元亦創(chuàng)下新高紀錄。
此前，臺積電已于 3 月發(fā)行第一期無擔(dān)保普通公司債，發(fā)行總額為新臺幣 240 億元。依發(fā)行期限不同分為甲類、乙類、丙類等 3 種。其中，甲類發(fā)行金額為新臺幣 30 億元整，發(fā)行期限為 5 年期，固定年利率達 0.58%；乙類發(fā)行金額為新臺幣 105 億元整，發(fā)行期限為 7 年期，固定年利率達 0.62%；丙類發(fā)行金額為新臺幣 105 億元整，發(fā)行期限為 10 年期，固定年利率達 0.64%。
4 月 6 日再發(fā)行第二期無擔(dān)保普通公司債，共籌得 456 億元資金，將用于新建擴建廠房設(shè)備。包括 5 年期甲類發(fā)行金額 59 億元、7 年期乙類發(fā)行金額 104 億元，及 10 年期丙類發(fā)行金額 53 億元，發(fā)行總額新臺幣 216 億元，用于新建、擴建廠房設(shè)備。
根據(jù)預(yù)期，臺積電預(yù)計今年發(fā)行的無擔(dān)保普通公司債的最高額度達 600 億元，扣除第一期及第二期共 456 億元，仍有 144 億元額度可發(fā)行第三期公司債，但發(fā)行與否將視市場實際情況而定，不一定會足額發(fā)行。
臺積電從去年就開始啟動 3nm 晶圓廠的建設(shè)工作，由于晶圓廠對水力、電力資源要求很高，初期的環(huán)評工作很嚴格，今天臺灣環(huán)保部門公布了臺積電 3nm 晶圓廠的專案初審，通過了新竹科學(xué)園區(qū)有過寶山用地的申請，這意味著臺積電的 3nm 晶圓廠最終落地在新竹園區(qū)。
根據(jù)之前的資料，整個 3nm 晶圓廠預(yù)計會在 2020 年正式動工建設(shè)，耗資超過 4000 億新臺幣，折合 879 億人民幣或者 130 億美元。
雖然其已加快 3nm 研發(fā)以延續(xù)領(lǐng)先地位，不過對手三星亦積極搶進，據(jù)韓媒報導(dǎo)，三星已經(jīng)成功開發(fā)業(yè)界第一個 3nm 芯片制程，與其的 5nm 制程產(chǎn)品相比，3nm 制程的晶尺寸縮小 35%，功耗降低 50%，但性能卻提高 30%，計劃在 2022 年開始利用 3nm 制程大規(guī)模生產(chǎn)芯片，此項成就有望加速三星實現(xiàn) 2030 年的半導(dǎo)體愿景計劃。
近日，晶圓代工龍頭臺積電董事會已核準(zhǔn)在中國臺灣市場募集無擔(dān)保普通公司債，以支應(yīng)產(chǎn)能擴充與污染防治相關(guān)支出的資金需求，資金額度不超過新臺幣 600 億(約 140 億元人民幣) 。
這是臺積電繼 2013 年發(fā)行普通公司債以來再度發(fā)行，而且最高籌資額度達 600 億元亦創(chuàng)下新高紀錄。
此前，臺積電已于 3 月發(fā)行第一期無擔(dān)保普通公司債，發(fā)行總額為新臺幣 240 億元。依發(fā)行期限不同分為甲類、乙類、丙類等 3 種。其中，甲類發(fā)行金額為新臺幣 30 億元整，發(fā)行期限為 5 年期，固定年利率達 0.58%；乙類發(fā)行金額為新臺幣 105 億元整，發(fā)行期限為 7 年期，固定年利率達 0.62%；丙類發(fā)行金額為新臺幣 105 億元整，發(fā)行期限為 10 年期，固定年利率達 0.64%。
4 月 6 日再發(fā)行第二期無擔(dān)保普通公司債，共籌得 456 億元資金，將用于新建擴建廠房設(shè)備。包括 5 年期甲類發(fā)行金額 59 億元、7 年期乙類發(fā)行金額 104 億元，及 10 年期丙類發(fā)行金額 53 億元，發(fā)行總額新臺幣 216 億元，用于新建、擴建廠房設(shè)備。
根據(jù)預(yù)期，臺積電預(yù)計今年發(fā)行的無擔(dān)保普通公司債的最高額度達 600 億元，扣除第一期及第二期共 456 億元，仍有 144 億元額度可發(fā)行第三期公司債，但發(fā)行與否將視市場實際情況而定，不一定會足額發(fā)行。
臺積電從去年就開始啟動 3nm 晶圓廠的建設(shè)工作，由于晶圓廠對水力、電力資源要求很高，初期的環(huán)評工作很嚴格，今天臺灣環(huán)保部門公布了臺積電 3nm 晶圓廠的專案初審，通過了新竹科學(xué)園區(qū)有過寶山用地的申請，這意味著臺積電的 3nm 晶圓廠最終落地在新竹園區(qū)。
根據(jù)之前的資料，整個 3nm 晶圓廠預(yù)計會在 2020 年正式動工建設(shè)，耗資超過 4000 億新臺幣，折合 879 億人民幣或者 130 億美元。
雖然其已加快 3nm 研發(fā)以延續(xù)領(lǐng)先地位，不過對手三星亦積極搶進，據(jù)韓媒報導(dǎo)，三星已經(jīng)成功開發(fā)業(yè)界第一個 3nm 芯片制程，與其的 5nm 制程產(chǎn)品相比，3nm 制程的晶尺寸縮小 35%，功耗降低 50%，但性能卻提高 30%，計劃在 2022 年開始利用 3nm 制程大規(guī)模生產(chǎn)芯片，此項成就有望加速三星實現(xiàn) 2030 年的半導(dǎo)體愿景計劃。
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