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從“尚未決定”到“最終落戶”，三星電子第二期投資終于落戶在古城西安。據最新消息，三星電子在西安的閃存芯片項目二期投資80億美元落地。今年5月份，三星電子曾表示，尚未決定對中國西安的第二條閃存芯片生產線進行額外投資的計劃，具體情況將取決于市場狀況。

本月10日，三星電子閃存芯片項目二期第二階段80億美元投資正式啟動。據了解，這是三星電子在西安閃存芯片項目二期第二階段投資。

2012年，西安高新區成功引進三星電子存儲芯片項目，成為了三星海外投資歷史上投資規模最大的項目，一期投資108億美元，建成了三星電子存儲芯片項目和封裝測試項目，于2014年5月竣工投產。

二期項目總投資150億美元，2018年3月正式開工建設，主要制造閃存芯片。其中，第一階段投資約70億美元，明年3月竣工投產;第二階段投資80億美元，2021年下半年竣工。據了解，三星電子閃存芯片二期項目建成后將新增產能每月13萬片，新增產值300億元，帶動一批配套電子信息企業落戶。

早在2019年5月，“三星電子二期投資即將落地”的傳言在業內散開，隨后，三星電子公司公開表示，尚未決定對中國西安的第二條閃存芯片生產線進行額外投資的計劃，否認了中國國內媒體的報道。并表示第二期投資情況將取決于存儲市場的走勢。

“鎧俠的跳電事件導致產能下降，加上各廠商的減產等因素，NAND Flash的單價有所回升。”分析師楊俊剛對《中國電子報》記者說。

存儲芯片回暖，三星二階段提前落地

2019年年初，閃存芯片價格大幅下跌，全球許多知名閃存制造商，選擇放緩擴張計劃，并宣布減產。經過了一年的價位下滑，年底存儲市場或將迎來止跌反彈。據集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）最新預測，2019年第三季度，NAND Flash廠商營收季增10%，約達到119億美元。

“明年閃存市場回暖，需求量增加，三星在此時加快擴產在情理之中。”市場分析師黃陽棋對記者說。

11月25日，據集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）發布最新預測報告，稱三星電子在新產能方面，西安二期仍依規劃于2020年上半年投產。十五天后，三星電子二期第二階段的投資落地，比分析機構預測的提前。