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上月，由于存在國家安全風險，美光科技生產的產品在中國被禁止銷售。中國網絡安全審查辦公室表示，“美光公司的產品對中國關鍵信息基礎設施供應鏈造成重大安全風險，影響國家安全”。


正如我們所知，美光與三星和SK海力士是主要的DRAM和NAND廠商之一。事實上，中國是美光的主要市場之一，占其全年銷售額的10%左右。2022年，美光公布的總收入為307億美元，其中33億美元(10.7%)來自中國。
在這種情況下，中國的DRAM和NAND存儲芯片/服務器/AIoT需求可能會由三星，SK海力士以及中國公司如長江存儲, 長鑫存儲，中芯國際，華為，浪潮，宇視，海康威視，兆易創新和光威等中國國內公司提供。
至于NAND領軍企業之一的長江存儲，海康威視Hiksemi CC700 PCIe 4.0 2TB固態硬盤中使用了長江存儲近期發布的232L Xtacking3.0 TLC芯片。比特密度（15.0 Gb/mm2）比之前的128L Xtacking2.0 TLC芯片增加了76%，這是迄今為止最高的比特密度。他們現在正在提高產品產量，并在現有設備和基礎設施的基礎上開發n+1和n+2代(>300L)。
中國DRAM企業長鑫存儲也推出了20nm級(D/R=23.8nm) DDR4和LPDDR4X產品，以及D1x(可能采用19nm D/R)樣品產品。他們正在為DDR5和LPDDR5/5X應用開發n+1 (D1y)和n+2 (D1z)代。
美國工業和安全局(BIS)對華限制：
(1)采用16nm或14nm及以下非平面FinFET或GAAFET晶體管結構的邏輯芯片；
(2)半間距小于等于18nm的DRAM存儲芯片；
(3) 128層及以上的NAND閃存芯片。
由于這些限制，長江存儲和長鑫存儲在開發新產品或擴展新的HVM晶圓廠方面面臨挑戰。盡管如此，至少在兩年內，它們都可能有能力開發下一代D1y DRAM和3xxL NAND器件。然而，新的晶圓廠和新的半導體工具最終是DRAM和NAND產品微縮和提升的必要條件。如果2025年或2026美國的制裁仍在繼續，且如果屆時國內設備供應鏈不夠，這兩家公司可能將停止進一步的研發活動。
三星和SK海力士在這方面怎么樣？中美之間緊張的地緣政治局勢可能會影響三星和SK海力士的近期和長期存儲業務計劃，特別是在中國和針對中國的業務規劃。去年，三星在中國的收入(242億美元)幾乎是SK海力士(125億美元)的兩倍。他們可能很快就會從中國對美光的禁令中受益，然而，這很復雜，也很難確定，因為他們都在中國有多家存儲制造工廠。例如，三星在西安運營著兩家NAND晶圓廠，SK海力士的無錫工廠負責該公司約一半的DRAM生產，約占全球市場份額的15%。
由于美國的制裁，三星和SK海力士可能會更多地關注傳統工藝消費級DRAM和NAND市場，如D1y而不是D1z和D1a的DDR3和DDR4 DRAM，以及128L而不是176L的NAND，以滿足中國國內的需求，這意味著沒有更多的設備或晶圓廠投資。或者，如果未來晶圓廠的管理、維護和擴建受到限制，他們最終可能會考慮將自己的晶圓廠出售給中國。在這種情況下，他們也許會改變未來在存儲業務上的投資計劃/戰略，包括在韓國或其他國家(如美國和日本)新建晶圓廠和研發中心。
現在來自美國的壓力非常大。雖然三星和SK海力士從美國獲得了一年的寬限期，但今年在中國的存儲收入可能會下降。在這一點上，他們都處于兩難境地。如果它們增加在中國的銷量，可能會影響它們與美國的關系。相反，如果他們跟隨美國，他們可能會受到中國的反擊；美國可能會在未來要求更多。
對中國而言，尤其是在未來幾年內，國內芯片工具制造商和供應商如北方華創科技等公司需要加大投資力度，加快開發先進的半導體工具，以支持存儲和晶圓代工廠應對美國制裁的要求，這是一個事實。具有諷刺意味的是，由于美國的限制，中國國內半導體工具行業未來的增長速度可能比其他任何地方都快。