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據 消息報道，臺積電正在向美國政府尋求 150 億美元的建廠補貼，但反對一些附加條件，比如需要向其分享超額利潤等。

根據相關知情人士透露，臺積電對美國可能要求其分享工廠利潤，并提供詳細營運信息的規定感到擔憂。臺積電去年 12 月把美國亞利桑那鳳凰城的建廠投資規模增加了兩倍多，高達 400 億美元。

根據美國芯片法案，臺積電可能會獲得大約 70~80 億美金的稅額減免。臺積電正在爭取商務部的補助款，同時期望在亞利桑那鳳凰城的兩座工廠都可獲得大約 60~70 億美金的補貼，這樣的話臺積電將獲得來自美國政府的補貼總額高達 150 億美元。

據悉，該金額占美國芯片法案提供補助資金近三成，臺積電是否能順利得到該補貼還是一個未知數，因為這不僅需要持續和美國政府協調，更考驗臺積電能否在商業利益與政治判斷上取得平衡。

美國芯片法案將提供 530 億美元資金幫助美國恢復在半導體領域的制造實力。而且英特爾和三星等半導體巨頭都會申請先進制程建廠補助，而臺積電申請的 150 億美金就幾乎占了三成。
臺積電在昨天召開了法說會，除了營運展望之外，預料美國布局等相關議題將是會中焦點。臺積電在亞利桑那鳳凰城的工廠第一階段將于明年開始年量產 4nm 制程工藝，符合美國的補助條件。

但是臺積電董事長劉德音日前表態，無法接受該法案提供補助的部分條件，還須再討論。臺積公司的目標是減輕這些負面影響，并將繼續與美國政府進行協商。雖然劉德音并未透露無法接受美國芯片法案哪部分的限制，但業界分析應該是美國商務部認為，申請補助廠商十年內將不得在受關注的國家/地區進行擴充，其余還包括提出相關商業秘密等給美方，以利查核是否將補助款用于購買庫藏股或配發股息等限制用途。

業界分析，由于臺積電獲補助金額絕不會超過英特爾等美國廠商，臺積電有本事不靠申請補助款，與各大芯片廠競爭，這也是臺積電可以和美國商務部談條件的底氣。
綜觀臺積電海外布局，不僅美國亞利桑那州廠投資金額擴增至400億美元，將投入4nm 及3nm 制程生產，并在日本熊本投資建廠，預計2024年底前以28nm 、22nm 、16nm 及12nm 制程生產。

業內分析人士認為，臺積電對提供財務報表，各種營運假設條件，客戶資料等很擔憂資料外流，也擔心分享利潤限制公司獲利空間，拜登政府及美國商務部為保護美國納稅人的錢及要求分享超額利潤，似乎也不肯讓步就直接開張空白支票給臺積電。