2021年NAND Flash市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇
2020-4-23 20:52:32??????點(diǎn)擊：
根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，中國(guó)NAND Flash廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)已在第一季將128層3D NAND樣品送交存儲(chǔ)控制器廠商，目標(biāo)第三季進(jìn)入投片、年底前量產(chǎn)，擬用于UFS、SSD等各類終端產(chǎn)品，并同時(shí)出貨給模組廠。考量客戶導(dǎo)入時(shí)程，預(yù)估長(zhǎng)江存儲(chǔ)新產(chǎn)品可能率先影響第四季W(wǎng)afer市場(chǎng)合約價(jià)，并自2021年起對(duì)Client SSD、eMMC/UFS等市場(chǎng)供給產(chǎn)生實(shí)質(zhì)貢獻(xiàn)，在供給增加的情況下，價(jià)格下跌的可能性也將提高。
集邦咨詢表示，受到疫情影響，智能手機(jī)及筆記本電腦等終端需求將受到不小沖擊，并對(duì)NAND Flash主流供應(yīng)商獲利能力造成影響，抑制未來(lái)持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)的幅度。相較之下，長(zhǎng)江存儲(chǔ)目前在各類應(yīng)用的市占規(guī)模仍小，因此受疫情影響較低。當(dāng)前目標(biāo)將著重于與OEM進(jìn)行64層TLC的相關(guān)產(chǎn)品導(dǎo)入及提升良率，并趕在今年內(nèi)送交128層產(chǎn)品樣品，將同時(shí)包含TLC以及QLC產(chǎn)品，以擴(kuò)大客戶基礎(chǔ)。
3D NAND堆棧難度漸增，有利長(zhǎng)江存儲(chǔ)縮小差距
隨著3D NAND Flash堆棧達(dá)到90層以上，主要供應(yīng)商在更高層數(shù)蝕刻及堆棧技術(shù)的發(fā)展難度逐漸增加。觀察各供應(yīng)商的技術(shù)路線圖，在1XX層的產(chǎn)品世代已有分歧：盡管三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)已推出128層產(chǎn)品，但鎧俠/西數(shù)(Kioxia/WD)、美光(Micron)、英特爾(Intel)的112/128/144層產(chǎn)品要到下半年才會(huì)放量，相比前幾代3D NAND產(chǎn)品的發(fā)展進(jìn)程來(lái)得更久，有利于長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層產(chǎn)品迎頭趕上。
除此之外，2019年NAND Flash的價(jià)格平均跌幅達(dá)46%，導(dǎo)致主要供應(yīng)商陷入虧損，資本支出因而轉(zhuǎn)為保守，產(chǎn)出增長(zhǎng)規(guī)劃亦創(chuàng)下歷史新低，這也讓長(zhǎng)江存儲(chǔ)有了拉近差距的機(jī)會(huì)。
2021年長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)能預(yù)估占整體NAND Flash約8%
身為新進(jìn)供應(yīng)商的長(zhǎng)江存儲(chǔ)目前擁有武漢廠，今年目標(biāo)是成都廠開(kāi)始投產(chǎn)，并逐步完成武漢廠區(qū)剩余二座廠房的興建與擴(kuò)產(chǎn)。除了擴(kuò)張規(guī)劃積極，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也是國(guó)家大基金的重點(diǎn)扶植廠商，可以預(yù)期NAND Flash市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)將更為嚴(yán)峻，長(zhǎng)期價(jià)格面臨持續(xù)走跌的壓力。
集邦咨詢表示，受到疫情影響，智能手機(jī)及筆記本電腦等終端需求將受到不小沖擊，并對(duì)NAND Flash主流供應(yīng)商獲利能力造成影響，抑制未來(lái)持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)的幅度。相較之下，長(zhǎng)江存儲(chǔ)目前在各類應(yīng)用的市占規(guī)模仍小，因此受疫情影響較低。當(dāng)前目標(biāo)將著重于與OEM進(jìn)行64層TLC的相關(guān)產(chǎn)品導(dǎo)入及提升良率，并趕在今年內(nèi)送交128層產(chǎn)品樣品，將同時(shí)包含TLC以及QLC產(chǎn)品，以擴(kuò)大客戶基礎(chǔ)。
3D NAND堆棧難度漸增，有利長(zhǎng)江存儲(chǔ)縮小差距
隨著3D NAND Flash堆棧達(dá)到90層以上，主要供應(yīng)商在更高層數(shù)蝕刻及堆棧技術(shù)的發(fā)展難度逐漸增加。觀察各供應(yīng)商的技術(shù)路線圖，在1XX層的產(chǎn)品世代已有分歧：盡管三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)已推出128層產(chǎn)品，但鎧俠/西數(shù)(Kioxia/WD)、美光(Micron)、英特爾(Intel)的112/128/144層產(chǎn)品要到下半年才會(huì)放量，相比前幾代3D NAND產(chǎn)品的發(fā)展進(jìn)程來(lái)得更久，有利于長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層產(chǎn)品迎頭趕上。
除此之外，2019年NAND Flash的價(jià)格平均跌幅達(dá)46%，導(dǎo)致主要供應(yīng)商陷入虧損，資本支出因而轉(zhuǎn)為保守，產(chǎn)出增長(zhǎng)規(guī)劃亦創(chuàng)下歷史新低，這也讓長(zhǎng)江存儲(chǔ)有了拉近差距的機(jī)會(huì)。
2021年長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)能預(yù)估占整體NAND Flash約8%
身為新進(jìn)供應(yīng)商的長(zhǎng)江存儲(chǔ)目前擁有武漢廠，今年目標(biāo)是成都廠開(kāi)始投產(chǎn)，并逐步完成武漢廠區(qū)剩余二座廠房的興建與擴(kuò)產(chǎn)。除了擴(kuò)張規(guī)劃積極，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也是國(guó)家大基金的重點(diǎn)扶植廠商，可以預(yù)期NAND Flash市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)將更為嚴(yán)峻，長(zhǎng)期價(jià)格面臨持續(xù)走跌的壓力。
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