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據E報道，三星電子設備解決方案業務部代工業務總裁兼總經理 Siyoung Choi 博士表示，隨著兩家公司推出下一代 2 納米半導體制造工藝，它可以在五年內擊敗臺積電 (TSMC)。
據EDN了解，三星此前的目標是在 2023 年采用全柵 (GAA) 晶體管用于領先的半導體節點 3 納米工藝，從而縮小與臺灣公司之間的技術差距。
據Choi 分享說，目前臺積電在芯片制造方面遠遠領先于三星。他認為三星需要五年時間才能趕上并擊敗臺積電，盡管這兩家公司目前都在生產 3 納米半導體。雖然這些技術的營銷名稱可能相似，但它們在設計上卻大不相同，因為三星利用更新的 GAA 技術制造晶體管，而臺積電則依賴久經考驗的 FinFET 模型。
Choi 認為，GAA的使用至關重要，因為他認為三星的4納米技術比臺積電落后兩年，而3納米技術則落后一年。據他說，當臺積電轉向 2 納米工藝時，情況將會發生變化。這是因為臺積電計劃從 2 納米節點開始使用 GAA 晶體管，而三星已經擁有使用 3 納米技術工藝制造芯片的經驗。
三星社長同樣也評論了三星代工和臺積電的技術水平。“目前，三星的 4nm 技術落后臺積電大約兩年，3nm 大約落后一年，但當臺積電進入 2nm 時，這種情況就會改變，”Kyung 先生說。據了解，三星的3納米（nm）GAA 技術采用了寬通道的納米片，與采用窄通道納米線的GAA 技術相比能提供更高的性能和能耗比。3納米GAA 技術上， 三星能夠調整納米晶體管的通道寬度，優化功耗和性能，從而能夠滿足客戶的多元需求。此外，GAA 的設計靈活性對設計技術協同優化(DTCO) [2]非常有利，有助于實現更好的PPA 優勢。與5納米（nm）工藝相比，第一代3納米（nm）工藝可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%；而第二代3納米（nm）工藝則使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面積減少 35%。
三星通過 GAA 制造芯片所獲得的經驗將使其能夠在五年內超越臺積電。這個結論是基于臺積電在向新技術過渡時會遇到困難的假設。臺積電的目標是在 2025 年生產采用先進技術制造的芯片，三星也有類似的時間表。
這位三星高管不僅對其公司的新芯片制造技術持樂觀態度，而且他還相信三星的內存部門將在人工智能競賽中比 NVIDIA 的圖形處理單元 (GPU) 更為關鍵。
對于美國限制在中國開設新芯片工廠作為通過 CHIPS 法案獲得資金的條件，蔡博士認為，雖然這些政策具有限制性，但不會影響其公司的整個芯片制造業務。